来自亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫中心 (HZDR) 和意大利萨莱诺大学的研究小组发现，元素铋薄膜表现出所谓的非线性霍尔效应，可应用于受控使用技术电子芯片上的太赫兹高频信号。

正如该团队在《自然电子》杂志上报道的那样，铋结合了迄今为止其他系统中未发现的几种有利特性。特别是，在室温下观察到量子效应。这种薄膜甚至可以应用于塑料基材上，因此适合现代高频技术应用。

“当我们对某些材料施加电流时，它们会产生垂直于它的电压。我们物理学家将这种现象称为霍尔效应，这实际上是具有相同影响的效应的统一术语，但其基本机制有所不同。 HZDR 离子束物理和材料研究所的 Denys Makarov 博士说：“电子级。通常，记录的霍尔电压与施加的电流线性相关。”

大多数这些效应是材料中磁场或磁性影响的结果。然而，2015年，科学家发现霍尔效应在没有磁性的影响下也能发生。

萨莱诺大学物理系的 Carmine Ortix 教授补充道：“我们通过材料的晶体排列实现了这一目标，使霍尔电压不再与电流呈线性关系。”这种效应引起了人们极大的兴趣，因为它使得新型高速电子元件成为可能。

两位研究人员联手寻找合适的材料以及这种所谓的非线性霍尔效应的可能实际应用。虽然 Ortix 是一名理论物理学家，但马卡洛夫带来了实验知识，以及与 HZDR 其他研究所的联系，这些研究所凭借其专业知识积极参与了这项工作。