6月13日，三星电子在美国硅谷举行“2024年三星代工论坛”，公布半导体技术战略。其中提出，2027年将引入尖端晶圆代工技术，推出两种新工艺节点，加强跨越人工智能（AI）芯片研发、代工生产、组装全流程的AI芯片生产“一站式”服务。

据悉，三星电子正通过封装晶圆代工非内存半导体和高带宽内存（HBM）的集成AI解决方案致力于研制高性能、低能耗的AI芯片产品。据此，与现有工艺相比，从研发到生产的耗时可缩减约20%。

值得关注的是，三星电子计划引进尖端晶圆代工技术进一步强化AI芯片生产水平。具体来看，三星2027年将在2纳米工艺中采用背面供电网络（BSPDN）技术（制程节点SF2Z）。该技术可将芯片的供电网络转移至晶圆背面，与信号电路分离，从而简化供电路径，降低供电电路对互联信号电路的干扰。若在2纳米工艺中采用该技术，不仅能提高功率、性能和面积等参数，还可以显著减少电压降，从而提升高性能计算设计性能。（韩联社）

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