导读
6月13日,三星电子在美国硅谷举行“2024年三星代工论坛”,公布半导体技术战略。其中提出,2027年将引入尖端晶圆代工技术,推出两种新...
6月13日,三星电子在美国硅谷举行“2024年三星代工论坛”,公布半导体技术战略。其中提出,2027年将引入尖端晶圆代工技术,推出两种新工艺节点,加强跨越人工智能(AI)芯片研发、代工生产、组装全流程的AI芯片生产“一站式”服务。
据悉,三星电子正通过封装晶圆代工非内存半导体和高带宽内存(HBM)的集成AI解决方案致力于研制高性能、低能耗的AI芯片产品。据此,与现有工艺相比,从研发到生产的耗时可缩减约20%。
值得关注的是,三星电子计划引进尖端晶圆代工技术进一步强化AI芯片生产水平。具体来看,三星2027年将在2纳米工艺中采用背面供电网络(BSPDN)技术(制程节点SF2Z)。该技术可将芯片的供电网络转移至晶圆背面,与信号电路分离,从而简化供电路径,降低供电电路对互联信号电路的干扰。若在2纳米工艺中采用该技术,不仅能提高功率、性能和面积等参数,还可以显著减少电压降,从而提升高性能计算设计性能。(韩联社)
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