人们发现二维(2D)超导材料在微型光电器件的开发中具有广阔的前景。然而，为了在消耗更少能量的同时表现良好，这些较小的器件需要更高的栅极电容(即，可以与所施加的电压成比例地存储更多电荷的栅极)。

一种在不减小栅极绝缘体或栅极电介质厚度的情况下提高栅极电容的方法需要使用具有高介电常数(κ)的绝缘材料，例如氧化铪(HfO2)。虽然这可能是一个有利的解决方案，但事实证明这些材料很难与二维半导体集成。

复旦大学的研究人员最近制备了一种高κ的二维钙钛矿氧化物，可以与不同的二维通道材料集成。他们的论文发表在《自然电子》杂志上，可能为未来光电器件的小型化带来新的机遇。

“与二维(2D)半导体兼容的高介电常数(高κ)栅极电介质对于规模化光电器件至关重要，”李思源、刘欣亚及其合作者在论文中写道。

“然而，传统的三维电介质很难与具有无悬挂键表面的二维材料集成。我们表明，通过自上而下的方法制备的二维钙钛矿氧化物Sr2Nb3O10可以与各种材料集成二维通道材料。”

研究人员论文中介绍的二维钙钛矿氧化物Sr2Nb3O10是按照自上而下的制备策略合成的。他们制备出 SNO 纳米片后，能够将其转移到各种 2D 材料上。